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IBM y AMD anuncian nuevo proceso de fabricación
| Mie Ene 31, 2007 12:03 am | ||
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El nuevo proceso es de 45 nm y tiene como novedad el uso de "high-k metal gates" conexiones de metal de alta conductividad, en vez del dióxido de silicio. Este nuevo material se emplearía en la parte crítica de los transistores que controlan el flip-flop, esto es, el paso o no de corriente. Mejora el funcionamiento de los transistores y reduce las pérdidas eléctricas. Ahora falta encontrar el método de implantar este material en los procesos de fabricación. IBM ya lo ha logrado y sin demasiados cambios ni herramientas especiales, por lo que puede ser económicamente viable |
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